أضافت Infineon Technologies عضوًا جديدًا إلى عائلة CoolMOS P7 ، وهي الفئة 950 V CoolMOS P7 Superjunction MOSFET.
وقد تم تصميم الجهاز لتلبية متطلبات التصميم الأكثر صرامة للإضاءة والعدادات الذكية والشواحن المحمولة ومحولات أجهزة الكمبيوتر المحمولة ووحدات تزويد الطاقة AUX وتطبيقات SMPS الصناعية. يقدم هذا الحل أداءً حراريًا وكفءًا محسّنًا مع توفير فاتورة أقل للمواد وإعادة تكاليف الإنتاج.
يوفر الطراز 950 V CoolMOS P7 DPAK R DS (on) مما يسمح بتصميمات ذات كثافة أعلى. بالإضافة إلى ذلك ، يجعل التسامح V GS (th) من MOSFET سهل القيادة والتصميم. وعلى غرار الأعضاء الآخرين في عائلة P7 ، يأتي هذا المكون مع حماية متكاملة من نوع Zener diode ESD ، مما يؤدي إلى تجميع أفضل للغلات وخفض التكلفة ، وقلة من مشكلات الإنتاج ذات الصلة بالتصاق (ESD).
يتيح الطراز CoolMOS P7 طراز 950 V إمكانية زيادة الكفاءة بنسبة تصل إلى 1 بالمائة ومن درجة حرارة MOSFET بدرجة أقل من 2 إلى 10 درجات مئوية لتصميمات أكثر كفاءة. كما يوفر هذا المكون أيضًا ما يصل إلى 58 بالمائة من خسائر التحويل مقارنةً بالأجيال السابقة من عائلة CoolMOS.
يأتي طراز 950 V CoolMOS P7 في تغليف TO-220 FullPAK و TO-251 IPAK LL و TO-252 DPAK و SOT-223. هذا يجعل من الممكن للتغيير من THD إلى جهاز SMD.
0 التعليقات:
إرسال تعليق